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Disque 3M™ Cubitron II™ Hookit™ 950U

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  • La combinaison des grains profilés et calibrés de 3M et le support papier E assure un ponçage très rapide et une longue durée de vie.
  • Structure très ouverte pour un meilleur anti-encrassement.
  • Ne contient pas de stereate (traitement anti-encrassement) pour une plus facile acceptation en BIW (pas de contamination de surface).
  • Le système de fixation Hookit™ permet un changement facile et rapide du disque.
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Spécificités
Diamètre global (métrique)
125 mm, 150 mm, 152 mm
Forme de produit
Disque
Grain
120+, 150+, 180+, 60, 60+, 80+
Matériau abrasif
Grain en céramique calibré et profilé
Plus petite unité en vente
La pièce
Poids du support
Poids E
Quantité par paquet
250
Support
Papier
Système d'aspiration
Non, Oui
Type de fixation
Fixation auto-agrippante
Détails produit
  • La combinaison des grains profilés et calibrés de 3M et le support papier E assure un ponçage très rapide et une longue durée de vie.
  • Structure très ouverte pour un meilleur anti-encrassement.
  • Ne contient pas de stereate (traitement anti-encrassement) pour une plus facile acceptation en BIW (pas de contamination de surface).
  • Le système de fixation Hookit™ permet un changement facile et rapide du disque.
  • Le support en papier E-Weight est spécialement conçu pour le ponçage du métal

Le disque 3M™ Cubitron ™ II Hookit ™ 950U est un disque abrasif qui offre le nec plus ultra en matière de coupe et de durée de vie, et constitue le meilleur choix pour maximiser le rendement et l'efficacité d'un ponçage intensif sur le métal , les revêtements, les composites ou le gelcoat.

Le disque 3M™ Cubitron™ II Hookit™ 950U est idéal pour le ponçage intensif. Pourvu des grains en céramique profilés et calibrés de 3M ainsi que d'un support papier Type E, il permet de réaliser des opérations de ponçage avec une efficacité durable dans le temps. Sa structure très ouverte améliore l'anti-encrassement. Il ne contient pas de stereate (traitement anti encrassant) et est ainsi idéal pour les applications en BIW.

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